Accélérateur d'ions 2MV ARAMIS

Doté d’une source positive, d’une source négative et de porte-objets variés, l’accélérateur ARAMIS 2MV permet d’effectuer un large panel d’études d’irradiation ionique et de synthèse de matériaux. Les 35 éléments chimiques disponibles permettent d’effectuer des études d’endommagement en « auto-irradiation » (sans pollution chimique), avec des flux entre 1E9 et 1E12 at/(s*cm2), et des masses allant de 1 à 197 UMA, à des énergies comprises entre 100 keV et 11 MeV. Cette gamme de faisceaux d’ions permet également de larges possibilités de dopage de matériaux jusqu’à une profondeur d’une dizaine de µm. Equipé d’un goniomètre 4 axes, de détecteurs SDD et germanium, les techniques d’analyses par faisceau d’ions (telles que RBS, RBS/C, PIXE, PIGE, ERDA) permettent la quantification élémentaire de matériaux, avec une discrimination en profondeur, ainsi que l’étude de défauts dans les matériaux cristallins. Le couplage avec l’implanteur ionique IRMA permet l’analyse in situ d’effets d’irradiation dans un matériau. Le couplage avec le MET permet l’étude à l’échelle nanométrique et en direct de l’évolution des modifications induites par les ions dans un matériau.

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