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Accélérateur Singletron (HVEE)Accélérateur Singletron (HVEE), énergie comprise entre 500 keV et 3,5 MeV, 1H+, 2H+, 4He+, 100 pA à 50µA |
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Microscope Electronique en Transmission 200kV METD’une résolution de 0.27nm, le MET est doté d’un filament LaB6 et de caméras 2K et grand angle. Il possède une large gamme d’équipements d’analyse tels que l’EDX, le Gatan Image Filter (EELS - EFTEM) et le mode STEM (BF - DF - HAADF), permettant l’analyse chimique et structurale de matériaux à l’échelle nanométrique. Différents portes-échantillons, bénéficiant de simple ou double tilts, fonctionnent à des températures entre -170°C et 1000°C. Possibilité de couplage avec ARAMIS et/ou IRMA, quasi-unique au monde de part la diversité des ions et énergies disponibles, connu sous le nom de JANNuS-Orsay, pour étudier in situ à l’échelle nanométrique l’évolution des modifications microstructurales et chimiques dans un matériau induites par un ou deux faisceaux d’ions simultanés. Il existe un Groupement d’Intérêt Scientifique JANNuS avec la plateforme JANNuS-Saclay (triple faisceau au CEA Saclay). |
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Formation aux technologie des accélérateursAucune description |
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Laboratoires de fabrication, caractérisation et R&D de cibles UCx et de couches minces- Banc canon à effet Joule - Banc canon à éllectrons - Banc à bombardement électronique - Profilomètre mécanique - Balance de précision |
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Alvéole d’expérience de 20 m²Aucune description |
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