Bienvenue sur le site des plateformes de l’IN2P3

Ce portail est destiné à vous informer sur l’offre d'instruments et de services proposés par les plateformes de l'IN2P3. C'est un outil à disposition des académiques et des industriels, permettant de mettre en contact des demandes d'expertise et de moyens et des experts de ces services dans les domaines d'application de l'IN2P3.

Les instruments et services à la une

Accélérateur Singletron (HVEE)

Accélérateur Singletron (HVEE), énergie comprise entre 500 keV et 3,5 MeV, 1H+, 2H+, 4He+, 100 pA à 50µA

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Ligne macrofaisceau pour la caractérisation des échantillons de dimensions millimétriques

Ligne macrofaisceau pour la caractérisation des échantillons de dimensions millimétriques : Détecteurs Si(Li) et Ge pour détection X et gamma. Détecteurs de particules (PIPS). Electronique de mise en forme et acquisition MPA3 FastCom Tech.

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Séparateur d’isotopes 60kV SIDONIE

Accélérateur permettant la production de cibles isotopiquement pures. D’une résolution R>1000, SIDONIE permet une séparation d’isotopes avec un taux d’impuretés inférieur à 10 5, de 65 éléments différents. SIDONIE permet la création de cibles par implantation ionique dans un matériau, ou par dépôt grâce à son système de décélération. Les courants disponibles permettent d’obtenir des fluences supérieures à 1E18 cm-2 par jour. SIDONIE est utilisé pour la création de cibles pour la physique nucléaire fondamentale, la création d’étalons, et la fourniture d’isotopes, avec une pureté inégalée, pour des intérêts médicaux.

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Station de calibration de thermomètres cryogéniques

- Plage de température: 1,5 à 310 K - Précision : ±10mK Etalonnage de thermomètres, cryogénie Calibration, thermomètre

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Accélérateur d'ions 2MV ARAMIS

Doté d’une source positive, d’une source négative et de porte-objets variés, l’accélérateur ARAMIS 2MV permet d’effectuer un large panel d’études d’irradiation ionique et de synthèse de matériaux. Les 35 éléments chimiques disponibles permettent d’effectuer des études d’endommagement en « auto-irradiation » (sans pollution chimique), avec des flux entre 1E9 et 1E12 at/(s*cm2), et des masses allant de 1 à 197 UMA, à des énergies comprises entre 100 keV et 11 MeV. Cette gamme de faisceaux d’ions permet également de larges possibilités de dopage de matériaux jusqu’à une profondeur d’une dizaine de µm. Equipé d’un goniomètre 4 axes, de détecteurs SDD et germanium, les techniques d’analyses par faisceau d’ions (telles que RBS, RBS/C, PIXE, PIGE, ERDA) permettent la quantification élémentaire de matériaux, avec une discrimination en profondeur, ainsi que l’étude de défauts dans les matériaux cristallins. Le couplage avec l’implanteur ionique IRMA permet l’analyse in situ d’effets d’irradiation dans un matériau. Le couplage avec le MET permet l’étude à l’échelle nanométrique et en direct de l’évolution des modifications induites par les ions dans un matériau.

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