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Formation Irradiation neutrons et gammaAucune description |
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Ports utilisateurs grande profondeurMise à disposition de ports utilisateurs grande profondeur, avec lien électro-optique vers la terre, pour connexion d'instrumentation |
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Implanteur ionique 190kV IRMAAvec sa source Bernas-Nier, IRMA a la possibilité de fournir des faisceaux de 65 éléments chimiques différents, avec des énergies allant de 5 à 590 keV. Avec des flux pouvant dépasser les 1E13 at/(s*cm2), le large choix d’éléments chimique permet d’envisager divers travaux tels que le dopage de semi-conducteurs, l’implantation de terres-rares dans des cellules solaires, la création de précipités, la création de défauts ou l’incorporation de gaz. Son couplage avec l’accélérateur d’ions ARAMIS permet l’analyse par RBS/C in situ des modifications induites dans le matériau par l’implantation ionique. Son couplage avec ARAMIS et le MET permet des expériences de co-irradiations et observations à l’échelle nanométrique uniques au monde. |
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Laboratoires de fabrication, caractérisation et R&D de cibles UCx et de couches minces- Banc canon à effet Joule - Banc canon à éllectrons - Banc à bombardement électronique - Profilomètre mécanique - Balance de précision |
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Accélérateur Singletron (HVEE)Accélérateur Singletron (HVEE), énergie comprise entre 500 keV et 3,5 MeV, 1H+, 2H+, 4He+, 100 pA à 50µA |
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